近日有消息称，长鑫存储计划对面向服务器和PC应用的DDR4产品发布产品结束（EOL）通知，并预计最迟于2026年上半年停止供货。届时，公司将全面转向DDR5及高带宽存储器（HBM）领域的研发与生产。
据行业反馈，尽管正式的EOL通知预计将在第三季度发布，但目前市场上的长鑫DDR4产品已经基本断货，供应链端也表现出明显的供货紧张迹象。
此前，三星电子和SK海力士也曾宣布将逐步淘汰旧制程，但选择保留部分1z纳米制程的DDR4产能。由于该制程无需使用EUV光刻设备，因此有助于维持一定的市场供应。
长鑫存储自起步以来，市占率已从最初的2%稳步提升，预计到2025年底，其单月晶圆产能将达到28万片，未来有望突破30万片，占全球DRAM总产能的约15%。
随着产能扩张，长鑫正加快产品结构向DDR5的转换。到2025年底，DDR5与LPDDR4、LPDDR5的合计产能预计将占公司整体产能的六成以上。
公司方面表示，今后将不再投入新标准型DDR4产品的开发，仅保留少量产线用于为兆易创新代工，以满足消费类市场对DDR4产品的持续需求。
除DDR5外，长鑫还被传出正在研发一种高端HBM解决方案，业界猜测这可能是面向高性能计算市场的HBM3技术。
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