4月21日的消息显示，英特尔在2025年VLSI研讨会上进一步披露了其最新制程技术Intel 18A的相关细节。根据最新资料，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）库，具备完整的技术设计功能，并优化了设计的易用性。
在性能、功耗、面积（PPA）的对比中，Intel 18A在基于标准Arm核心架构的芯片上，于1.1V电压条件下实现了25%的速度提升和36%的功耗降低。此外，与Intel 3相比，Intel 18A在面积利用率方面表现更优，这表明该制程能够实现更高的面积效率和密度设计潜力。
此前，英特尔官方发布的资料显示，Intel 18A采用了RibbonFET环绕栅极晶体管（GAA）技术，可实现对电流的精准控制。同时，该制程还首次引入了PowerVia背面供电技术，这一行业首创技术为电力传输的稳定性提供了保障。
英特尔还展示了电压下降图，以说明在高性能条件下节点的稳定性。得益于PowerVia供电技术，Intel 18A能够在电力传输方面表现出更高的稳定性。通过背面供电技术，英特尔不仅实现了更紧密的单元封装，还显著提升了面积效率，这是因为相比传统正面布线方式，背面供电技术释放了更多可用空间。
从目前公开的信息来看，如果良率能够达到预期水平，Intel 18A有望成为与台积电2nm制程竞争的强大对手。市场预计，Intel 18A将率先应用于Panther Lake SoC和Xeon系列的Clearwater Forest CPU，终端产品最早可能于2026年问世。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：英特尔披露Intel 18A制程技术细节：性能与能效大幅提升https://pc.zol.com.cn/976/9764247.html
